Hynix 8GB-os memória kerül a Samsung Galaxy S8-ba

2017. január 09.
4.2451
PixelHero profilja, adatai
PixelHero
Alighogy végetért az idei CES, máris visszatért a köztudatba a Samsung Galaxy S8, mint egyik legjobban várt 2017-es okostelefon, amelyről már sok pletykát hallottunk, de a friss forrás már tényszerű, ugyanis maga a Hynix erősítette meg.
 

Dél-Korea második legnagyobb chip gyártója, a Hynix bejelentette a legújabb, mobilokba szánt DRAM-ját, amelyet a következős generációs Galaxy S modell is megkap, párhuzamosan a szintén idén érkező Apple iPhone 8-cal (7S?).

A Hynix-től Oh Jong-hoon nyilatkozott, aki elmondta, hogy céljuk az okostelefonok használati élményének maximalizálása. Az LPDDR4X tökéletes kivitelezése lehet ennek, hiszen az újdonság közel 20%-kal erősebb az elődjénél. Fizikai méreteit tekintve 12x12,7 mm, míg a mélysége 1 mm, ami azt jelenti, hogy 30%-kal kevesebb helyet foglal majd a burkolat alatt, míg az adatáteresztő képessége pedig 34,1 GB/másodperc.
3 hozzászólás

Ronalddo

10 hónapja, 4 napja

Az a sebesség már nagyon durva!

válasz erre

marco

10 hónapja, 4 napja

rDAVE írta:
Északon nem chipet gyártanak, hanem atomot.
Köszi, javítva.

válasz erre

rDAVE

10 hónapja, 4 napja

Északon nem chipet gyártanak, hanem atomot.

válasz erre

 

új kommentek

legutóbbi hozzászólások
 

Közösségi felületeink