A Samsung bejelentette, hogy elindították a csúcskategóriás okostelefonokba szánt legújabb típusú 512GB-os UFS memóriák tömegtermelését, melynek alapjául már az ötödik generációs V-NAND flash memóriák szolgálnak.
Hogy az első 512GB-os eUFS 3.1-es tárhelyek pontosan mikor és melyik készülékben kaphatnak majd helyet, az egyelőre nem derült még ki, az viszont igen, hogy a későbbiekben kisebb kapacitású modellek is várhatók, jelenleg azonban csak ezek az 512GB-os típusok tömegtermelése indult útnak, melyek az adatátviteli teljesítmény tekintetében 2100 MB/s-os szekvenciális olvasási és 1200 MB/s-os szekvenciális írási sebességre képesek.
Főként utóbbi az, amiben az új technológia óriási előrelépés, hiszen az írási teljesítmény az eUFS 3.0-s típusok esetében még csak 410 MB/s volt, tehát háromszoros fejlődés történt, de a random írás és olvasás terén is jelentős előrelépések történtek.